Книга "ESD: Механизмы и модели отказов" изучает механизмы отказов, вызванных электростатическим разрядом (ESD), в полупроводниковых компонентах и системах, особенно в контексте масштабирования технологий от микро- до наноэлектроники. Автор предлагает рассмотреть проблему ESD с точки зрения анализа отказов и исследования конкретных случаев. Книга дает понимание физики отказов с общей точки зрения, а затем исследует механизмы отказов в конкретных технологиях, схемах и системах. Уникальность книги заключается в том, что она охватывает как механизм отказов, так и практические решения проблемы, используя технологические и схемные методы. Книга содержит обширные материалы по инструментам анализа отказов, источникам отказов от электрического перенапряжения и ESD, моделям отказов полупроводниковых технологий, а также по тому, как использовать анализ отказов для создания более надежных полупроводниковых компонентов и систем. Рассматриваются современные технологии, такие как CMOS, BiCMOS, SOI, биполярные технологии, HVCMOS, RF CMOS, умная мощность, галлиевый арсенид (GaAs), галлиевый нитрид (GaN), магнито-резистивные (MR) и гигантско-магнито-резистивные (GMR) устройства, туннельно-магнито-резистивные (TMR) устройства, микроэлектромеханические (MEM) системы, а также маски и ретикулы. Книга также предлагает практические методы использования анализа отказов для понимания работы схем ESD, анализа температуры, распределения мощности, разработки основных правил, распределения внутренних шин, анализа пути тока, показателей качества и связывания теоретического анализа с практическим. Отказ каждого ключевого элемента технологии - от пассивных и активных элементов до схем и подсистем, подчеркивается на конкретных примерах элементов, схем и систем на кристалле (SOC) в современных продуктах. Книга "ESD: Механизмы и модели отказов" является продолжением серии книг автора по защите от ESD. Она является важным справочным и полезным источником информации о проблемах, которые стоят перед современной технологией в эпоху наноэлектроники.
Электронная Книга «ESD» написана автором Steven Voldman H. в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9780470747261
Описание книги от Steven Voldman H.
Electrostatic discharge (ESD) failure mechanisms continue to impact semiconductor components and systems as technologies scale from micro- to nano-electronics. This book studies electrical overstress, ESD, and latchup from a failure analysis and case-study approach. It provides a clear insight into the physics of failure from a generalist perspective, followed by investigation of failure mechanisms in specific technologies, circuits, and systems. The book is unique in covering both the failure mechanism and the practical solutions to fix the problem from either a technology or circuit methodology. Look inside for extensive coverage on: failure analysis tools, EOS and ESD failure sources and failure models of semiconductor technology, and how to use failure analysis to design more robust semiconductor components and systems; electro-thermal models and technologies; the state-of-the-art technologies discussed include CMOS, BiCMOS, silicon on insulator (SOI), bipolar technology, high voltage CMOS (HVCMOS), RF CMOS, smart power, gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), magneto-resistive (MR) , giant magneto-resistors (GMR), tunneling magneto-resistor (TMR), devices; micro electro-mechanical (MEM) systems, and photo-masks and reticles; practical methods to use failure analysis for the understanding of ESD circuit operation, temperature analysis, power distribution, ground rule development, internal bus distribution, current path analysis, quality metrics, (connecting the theoretical to the practical analysis); the failure of each key element of a technology from passives, active elements to the circuit, sub-system to package, highlighted by case studies of the elements, circuits and system-on-chip (SOC) in today’s products. ESD: Failure Mechanisms and Models is a continuation of the author’s series of books on ESD protection. It is an essential reference and a useful insight into the issues that confront modern technology as we enter the Nano-electronic era.
