Книга "Carrier Transport in Nanosacle MOS Transistors" представляет собой комплексный продвинутый уровень анализа теории переноса для наноразмерных устройств, содержащий продвинутый материал по переносу электронов в наноразмерных устройствах от основных принципов квантовой механики вплоть до современной теории и различных численных методов для переноса электронов. Объединяет несколько современных теоретических и численных подходов в единую форму, таких как уравнение Вигнера, недавние достижения в исследовании переноса носителей для наноразмерного транзистора MOS и приближения коррекции квантов. Авторы подходят к этому вопросу логически и систематично, отражая свои обширные преподавательские и исследовательские знания.
В этой книге подробно рассматривается теория транспорта в транзисторах наноразмерного MOSFET. Использование аппарата квантовой механики, а также передовые теоретические методы и подходы, которые используются при анализе транспорта носителей заряда.
Электронная Книга «Carrier Transport in Nanoscale MOS Transistors» написана автором Hideaki Tsuchiya в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9781118871720
Описание книги от Hideaki Tsuchiya
A comprehensive advanced level examination of the transport theory of nanoscale devices Provides advanced level material of electron transport in nanoscale devices from basic principles of quantum mechanics through to advanced theory and various numerical techniques for electron transport Combines several up-to-date theoretical and numerical approaches in a unified manner, such as Wigner-Boltzmann equation, the recent progress of carrier transport research for nanoscale MOS transistors, and quantum correction approximations The authors approach the subject in a logical and systematic way, reflecting their extensive teaching and research backgrounds
