Книга "Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2" - это второй том из двух, который описывает гетероструктуры и оптоэлектронные устройства, созданные из нанопроводов GaN и ZnO. За последнее десятилетие число публикаций о нанопроводах GaN и ZnO выросло экспоненциально, особенно в отношении их потенциальных оптических применений в светодиодах, лазерах, УФ-детекторах или солнечных батареях. Однако такие применения до сих пор находятся в своих начальных стадиях, что обусловлено в основном недостаточным пониманием и контролем роста нанопроводов и связанных гетероструктур. Кроме того, работа с двумя разными, но связанными полупроводниками, такими как ZnO и GaN, а также с различными химическими и физическими методами синтеза, приведет к ценным сравнениям с целью получения общего подхода к росту нанопроводов с широкой запрещенной зоной, применяемых в оптических устройствах.
This book, the Second of Two Volumes, describes Heterostructures and Optoelectronic Devices Made From GaN and Zno Nanowires: fundamentals and applications, including LEDs, Lasers, Ultraviolet Detectors, Solar Cells and Field Effect Transistors. Designs of future electronic devices and elements such as super-high frequency transistors, Shottky Barrier Diodes, Light Emitting Diodes and Laser Diodes are outlined alongside a critical discussion on future research trends. Over The Last Decade, The Number Of Publications On GAN And ZNO Nanowires Has Grown Exponentially, In Particular For Their Potential Optical Applications In LEDs, Lasers UV Detectors Or Solar Cells. So Far, Such Applications Are Still In Their Infancy, Which We Analyze As Being Mostly Due To A Lack Of Understanding And Control Over The Growth Of Nanowires And Related Heterostructures.
Электронная Книга «Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2» написана автором Группа авторов в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9781118984277
Описание книги от Группа авторов
This book, the second of two volumes, describes heterostructures and optoelectronic devices made from GaN and ZnO nanowires. Over the last decade, the number of publications on GaN and ZnO nanowires has grown exponentially, in particular for their potential optical applications in LEDs, lasers, UV detectors or solar cells. So far, such applications are still in their infancy, which we analyze as being mostly due to a lack of understanding and control of the growth of nanowires and related heterostructures. Furthermore, dealing with two different but related semiconductors such as ZnO and GaN, but also with different chemical and physical synthesis methods, will bring valuable comparisons in order to gain a general approach for the growth of wide band gap nanowires applied to optical devices
