Книга "Современные требования к кремниевым пластинам большого диаметра" описывает актуальные требования к точности изготовления пластин-подложек для интегральных микросхем. В книге рассматриваются кремниевые подложки диаметром 150 и 200 мм, а также сапфировые подложки диаметром 100 мм. Описываются новые технологические операции, которые используются при производстве полупроводниковых пластин. Книга предназначена для студентов специальности "Проектирование и производство электронной аппаратуры" и "Проектирование и технология радиоэлектронных средств", изучающих курс "Микроэлектроника". В книге приведены 17 иллюстраций и 8 таблиц.
В книге рассматриваются современные требования к геометрической точности производства кремниевых пластин-подложек для интегральных микросхем. Подробно описаны подложки диаметром 150 и 200 мм из кремния, а также подложки диаметром 100 мм из сапфира. Приводятся новые технологические операции, используемые в процессе изготовления полупроводниковых пластин большого диаметра. Книга предназначена для студентов специальностей "Проектирование и производство электронной аппаратуры" и "Проектирование и технология радиоэлектронных средств", изучающих курс "Микроэлектроника". В книге содержится 17 иллюстраций и 8 таблиц.
В условиях современного производства кремния большого диаметра особое внимание уделяется требованиями к чистоте и геометрии материала. Даны характеристики подложек: пластин и сферитов (сапфировых подлобок). Приведены технологические инновации и современная техника для производства указанном материале.
Электронная Книга «Современные требования к кремниевым пластинам большого диаметра» написана автором Наталья Макушина в 2006 году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
ISBN: 5-7038-2926-7
Описание книги от Наталья Макушина
Приведены современные требования к геометрической точности изготовления пластин-подложек интегральных микросхем. Рассмотрены кремниевые подложки диаметром 150 и 200 мм, а также сапфировые подложки диаметром 100 мм. Описаны новые технологические операции, применяемые при производстве полупроводниковых пластин. Для студентов специальности «Проектирование и производство электронной аппаратуры» и «Проектирование и технология радиоэлектронных средств», изучающих курс «Микроэлектроника». Ил. 17. Табл. 8.
