Книга "Одномерные наноструктуры на основе карбида кремния" посвящена исследованию одномерных наноструктур на основе SiC. В ней описываются свойства и различные методы выращивания таких наноструктур. Книга подробно описывает процесс карбидизации кремниевых нанопроводов, метод получения оригинальных нанопроводов Si-SiC с ядром и оболочкой, а также нанотрубок SiC высокого кристаллического качества благодаря контролю диффузии кремния. Кроме того, обсуждаются потенциальные приложения этих наноструктур в биологии, энергетике и электронике.
Настоящий том, посвященный 1-основанным накарбидовам наноструктурам, разъясняет качества и разные стратегии роста в этих наноструктурах. В деталях излагается процесс карбюрирование в нанопроводах кремния, стратегия, чтобы получить оригинальные стержневые нанопроволоки Si-Si C с оболочкой и нанотрубки Si C высокого кристаллического качества благодаря управляемому выходу кремния. Потeнциалное применение этих особенных nano-объектов также обсуждаться, касаясь их возможного интегрирования в биологию, источник энергии и электронику.
Электронная Книга «Silicon Carbide One-dimensional Nanostructures» написана автором Laurence Latu-Romain в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9781119081487
Описание книги от Laurence Latu-Romain
Dedicated to SiC-based 1D nanostructures, this book explains the properties and different growth methods of these nanostructures. It details carburization of silicon nanowires, a growth process for obtaining original Si-SiC core-shell nanowires and SiC nanotubes of high crystalline quality, thanks to the control of the siliconout-diffusion. The potential applications of these particular nano-objects is also discussed, with regards to their eventual integration in biology, energy and electronics.
