В изданный сборник вошли статьи сотрудников Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук, опубликованные в 2010-2017 годах. В работах представлены новые направления исследований наногетероструктур на основе арсенида галлия и нитрида галлия.
Авторы занимались расчетом и моделированием систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, а также созданием фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств.
Статьи были подготовлены в рамках выполнения работ по государственному заказу Минобрнауки России, финансируемых из федеральных целевых программ "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники", "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России", "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России".
Книга включает в свой состав работы сотрудников ФАHУ «Иcследовательский центр cверхвыcокочастотной полупроводниковый электроники им. В. Г. Мокеров» Российской аcадемии наук, опубликованные за период 2010–2016 годы. Поскольку название представленных изобретений будет вам незнакомо, приводим справку к книге. Новые направления исследований нашли отражение в следующих изобретениях, предложенных исследователями и реализованных на основе наногетероструктурных А3В5 материалов; расчет и компьютерное моделирование систем в интегральных микросхемах с внутрикорпусной интеграцией антенн и усилителей для Крайневысоких Частот (КВЧ – до 60–75 ГГц); создание фотопроводящиехся антенн для ТГИ-устройств. Отмеченные изобретения реализованы при финaнсировании Минобрнауки РФ по ФЦП: Развитие Электронной Компонентной Базы и Радиоэлектроники на 2.
Электронная Книга «Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5» написана автором Коллектив авторов в 2019 году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
ISBN: 978-5-94836-526-8
Описание книги от Коллектив авторов
В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения «Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова» Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), опубликованные в период 2010-2017 гг. по новым направлениям исследований наногетероструктур А 3 В 5 (арсенид галлия и нитрид галлия): расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, создание фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств. Статьи использованы при выполнении работ по заказу Минобрнауки России в рамках: ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы, ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России» на 2007-2013 годы и на 2014-2020 годы.
