Книга "Физика и технология кристаллических оксидных полупроводников CAAC-IGZO" посвящена электронным устройствам на основе оксидных полупроводников, которые привлекают много внимания, благодаря их коммерческому успеху. Транзисторы на основе индия-галлия-цинка оксида (IGZO) имеют более высокую подвижность, чем транзисторы из аморфного кремния, а также крайне низкий ток в выключенном состоянии. Кристаллический оксидный полупроводник, выровненный по оси C (CAAC) IGZO, обеспечивает агрессивное уменьшение размеров, высокую надежность и упрощение процесса изготовления транзисторов в дисплеях и LSI-устройствах. Книга знакомит читателя с структурой CAAC-IGZO и описывает физику и технологию этого нового класса оксидных материалов. В ней объясняются кристаллографическая классификация и характеристики кристаллических оксидных полупроводников, их кристаллографические особенности и физические свойства, а также показывается, как этот уникальный материал внес существенный вклад в область тонких пленок оксидных полупроводников. В двух других книгах этой серии описываются применения CAAC-IGZO в плоских дисплеях и LSI-устройствах. Основные черты книги: знакомство с уникальным и революционным, но относительно малоизвестным кристаллическим оксидным полупроводником CAAC-IGZO; представление кристаллографических обзоров IGZO и связанных соединений; глубокое понимание CAAC-IGZO; объяснение метода изготовления тонких пленок CAAC-IGZO; представление физических свойств и последних данных, подтверждающих высокую надежность кристаллического IGZO на основе собственного опыта; описание процесса изготовления транзисторов CAAC-IGZO и применение устройств с использованием CAAC-IGZO.
Книга посвящена физике и технологии кристаллических оксидных полупроводников, таких как CAAC- IGZO (в англоязычной версии). Углеродные оси выровнены в кристаллической матрице (называются C-Axis Aligned Crystalline - CAAC), которая превосходит аморфные кремниевые транзисторы, обладая более высокой подвижностью электронов. Соединение элементов индия, галлия и цинка (больше известно как IGZO) позволяет проводить агрессивное уменьшение размеров устройств при высоком уровне надежности и упрощении производственного процесса для транзисторов, применяемых в системах отображения информации и в устройствах LSI. Иными словами, книга рассказывает об устройстве CAAC- I G Z O, особенностях физических свойств кристаллов этого уникального материала, которые сделали его технологию основой для внедрения в производство. В рамках этой книги описываются приложения CAAC-I G Z O в области плоских дисплеев и устройств LSI (большая интегральная система).
Если эта книга будет вам незнакома, то сделайте следующее описание: Это оригинальное издание представляет структуру CAAC-прозрачный оксид индия–галлия–цинка, а также описывает эту технологию и её физические свойства. Книга объясняет кристаллическую классификацию и характеристики прозрачных оксидов, их кристаллические характеристики и физические свойства такие как высокая подвижность электронов по сравнению с аморфными кремниевыми транзисторами и очень низкий средний ток покоя. Это также информационный документальный фильм о том, каким образом этот уникальный материал своим возникновением сделал огромый вклад в область пленки тонкого оксида.
Электронная Книга «Physics and Technology of Crystalline Oxide Semiconductor CAAC-IGZO» написана автором Shunpei Yamazaki в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9781119247364
Описание книги от Shunpei Yamazaki
Electronic devices based on oxide semiconductors are the focus of much attention, with crystalline materials generating huge commercial success. Indium–gallium–zinc oxide (IGZO) transistors have a higher mobility than amorphous silicon transistors, and an extremely low off-state current. C-axis aligned crystalline (CAAC) IGZO enables aggressive down-scaling, high reliability, and process simplification of transistors in displays and LSI devices. This original book introduces the CAAC-IGZO structure, and describes the physics and technology of this new class of oxide materials. It explains the crystallographic classification and characteristics of crystalline oxide semiconductors, their crystallographic characteristics and physical properties, and how this unique material has made a major contribution to the field of oxide semiconductor thin films. Two further books in this series describe applications of CAAC-IGZO in flat-panel displays and LSI devices. Key features: Introduces the unique and revolutionary, yet relatively unknown crystalline oxide semiconductor CAAC-IGZO Presents crystallographic overviews of IGZO and related compounds. Offers an in-depth understanding of CAAC-IGZO. Explains the fabrication method of CAAC-IGZO thin films. Presents the physical properties and latest data to support high-reliability crystalline IGZO based on hands-on experience. Describes the manufacturing process the CAAC-IGZO transistors and introduces the device application using CAAC-IGZO.
