Книга "Основы радиационных технологий" посвящена изучению методов расчета режимов ионной имплантации в формировании структур типа n+–p–p+(p+–n–n+). Полученные знания могут быть использованы в процессе изготовления кремниевых солнечных элементов. В книге представлена методика расчета профилей распределения имплантированной примеси, которая основывается на использовании программы Math Cad 2001.
Методические указания посвящены расчету ионно-имплантационных режимов и профилей примесей при формировании приборов n+ – p– p+(p+ – n– n+) – типа на основе кремния, используемых в фотоэлектрических системах. Формы траектории движения, потенциал рассеяния частиц и коэффициенты распределения, а также математические модели переноса и диффузии ионов внедренной примеси используются для определения оптимальных параметров процесса ионной имплантации. В качестве расчетного алгоритма использована программа MathCad 2005.
Рассматриваются основные принципы расчета инвестиционных проектов в рамках организации радиопроизводства: расчет режима ионной имплантирует, профили распределения примесей и пр.). Особое внимание уделяется методике расчета данной продукции в среде MathCad 2081 год.
Электронная Книга «Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+-p-p+(p+-n-n+)-типа» написана автором Владимир Астахов в 2007 году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
Описание книги от Владимир Астахов
В методических указаниях рассматриваются принципы расчета режимов ионной имплантации при формировании структур n+–p–p+(p+–n–n+)-типа и профилей распределения имплантированной примеси. Излагается методика расчета в программе Math Cad 2001.
