Эта книга представляет собой всесторонний обзор последних достижений в разработке новых и инновационных материалов, а также передовых методов моделирования и характеризации для наноразмерных КМОП устройств. Ведущие мировые отраслевые организации, включая Международную технологическую дорожную карту для полупроводников (ITRS), создали прогноз улучшений производительности, которые будут достигнуты в обозримом будущем, - в виде дорожной карты, которая приведет к существенному увеличению количества материалов, технологий и архитектур устройств, используемых в КМОП устройствах. Эта книга охватывает область разработки материалов, которая была предметом крупных исследований, направленных на поиск новых способов повышения производительности полупроводниковых технологий. Она охватывает три области, каждая из которых окажет драматическое влияние на развитие будущих КМОП устройств: глобально и локально деформированные и альтернативные материалы для высокоскоростных каналов на объемном подложечном материале и изоляторе; очень низкое сопротивление доступа; и различные высокодиэлектрические затворные стеки для энергетического масштабирования. Книга также предоставляет информацию о наиболее подходящих методах моделирования и симуляции для электрических свойств передовых МОП транзисторов, включая баллистический транспорт, ток утечки затвора, атомистическое моделирование и компактные модели для одно- и многозатворных устройств, нанопроволочных и углеродных ПТ. Наконец, книга представляет глубокое исследование основных нанохарактеризующих методик, которые могут использоваться для точного определения транспортных параметров, дефектов интерфейса, деформации канала, а также РЧ свойств, включая емкость-проводимость, улучшенный разделенный С-V, магнитосопротивление, накачку заряда, низкочастотный шум и спектроскопию комбинационного рассеяния.
Эта книга представляет собой всеобъемлющий обзор современного развития новых и инновационных материалов, а также передовых методов моделирования и характеризации наномасштабных устройств CMOS. Ведущие мировые отраслевые организации, включая Международный технологический план для полупроводников (ITRS), создали прогноз улучшения производительности, которые будут предоставлены в ближайшем будущем - в виде дорожной карты, которая приведет к значительному расширению числа материалов, технологий и архитектур устройств, используемых в устройствах CMOS. Эта книга затрагивает область развития материалов, которая стала объектом крупных исследовательских усилий, направленных на поиск новых способов повышения производительности полупроводниковых технологий. В ней рассматриваются три области, каждая из которых окажет значительное влияние на разработку будущих устройств CMOS: глобальные и локальные напряженные и альтернативные материалы для высокоскоростных каналов на объемной подложке и изоляторе; очень низкое сопротивление доступа; и различные высокодиэлектрические постоянные слои затвора для питания.
Эта книга представляет собой всесторонний обзор современных материалов, методов разработки и патентов для наномасштабных устройств CMOS. Международная система прогнозирования технологий (ITRS), ведущая мировых индустриальных органов, создала прогноз улучшений производительности, которые будут предоставлены в ближайшем будущем, - в виде плана-прогноза для вывода на рынок новых материалов, технологий и архитектур устройств в устройствах CMOS. В этой книге рассматриваются вопросы разработки новых материалов с повышенным уровнем производительности в сравнении с нынешними технологиями. Книга охватывает три разновидности материалов, которые существенно повлияют на развитие будущих устройств CMOS: ограничительные и локальные материалы, используемые в высокопроизводительных каналах на основных и изолирующих подложках; очень низкое поперечное сопротивление; разнообразные высокие гетеродиэлектрические структуры для совершенствования характеристик мощности. В книге также предоставлена информация о наиболее подходящих методах моделирования и симуляций электрических свойств усовершенствованных транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET), включая баллистическое перемещение, утечку затвора, атомарную симуляцию и компактные модели для одно- и многозатворных устройств, нанопроводов и углеродных FET. В заключение, в книге представлено глубокое изучение основных нанометодов анализа, которые могут использоваться для точного определения параметров передачи, дефектов на границах, деформации канала, а также радиочастотных (РЧ) свойств, включая емкость-проводимость, улучшенные системы разделения C-V (емкость-потенциал), эффекта магнитного сопротивления, механики зарядки, шумовых свойств в низкой частоте и кюрование спектроскопии.
Электронная Книга «Nanoscale CMOS. Innovative Materials, Modeling and Characterization» написана автором Francis Balestra в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9781118622490
Описание книги от Francis Balestra
This book provides a comprehensive review of the state-of-the-art in the development of new and innovative materials, and of advanced modeling and characterization methods for nanoscale CMOS devices. Leading global industry bodies including the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) have created a forecast of performance improvements that will be delivered in the foreseeable future – in the form of a roadmap that will lead to a substantial enlargement in the number of materials, technologies and device architectures used in CMOS devices. This book addresses the field of materials development, which has been the subject of a major research drive aimed at finding new ways to enhance the performance of semiconductor technologies. It covers three areas that will each have a dramatic impact on the development of future CMOS devices: global and local strained and alternative materials for high speed channels on bulk substrate and insulator; very low access resistance; and various high dielectric constant gate stacks for power scaling. The book also provides information on the most appropriate modeling and simulation methods for electrical properties of advanced MOSFETs, including ballistic transport, gate leakage, atomistic simulation, and compact models for single and multi-gate devices, nanowire and carbon-based FETs. Finally, the book presents an in-depth investigation of the main nanocharacterization techniques that can be used for an accurate determination of transport parameters, interface defects, channel strain as well as RF properties, including capacitance-conductance, improved split C-V, magnetoresistance, charge pumping, low frequency noise, and Raman spectroscopy.
