Это фундаментальное трехтомное руководство посвящено нитридным полупроводникам, их технологиям и нанотехнологиям. Материал изложен с необычайной ясностью и глубиной. В книге представлены все необходимые базовые сведения из области физики полупроводников и инженерии, а также обширный справочный раздел.
Первый том посвящен свойствам и росту GaN. Рассмотрены следующие методы осаждения: гидридный метод с использованием паров (VPE), метод химического осаждения из газовой фазы с использованием металлоорганических соединений (MOCVD), молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE), а также рост из жидкой и высокодавленной фазы. Кроме того, обсуждаются протяженные дефекты и их электрическая природа, точечные дефекты и легирование.
Электронная Книга «Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Materials Properties, Physics and Growth» написана автором Hadis Morkoc в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9783527628469
Описание книги от Hadis Morkoc
The three volumes of this handbook treat the fundamentals, technology and nanotechnology of nitride semiconductors with an extraordinary clarity and depth. They present all the necessary basics of semiconductor and device physics and engineering together with an extensive reference section. Volume 1 deals with the properties and growth of GaN. The deposition methods considered are: hydride VPE, organometallic CVD, MBE, and liquid/high pressure growth. Additionally, extended defects and their electrical nature, point defects, and doping are reviewed.
