Книга "Моделирование металл-оксид-полупроводниковых транзисторов на основе зарядов" представляет собой комплексное изложение модели металл-оксид-полупроводниковых (MOS) транзисторов для проектирования и моделирования аналоговых и радиочастотных интегральных схем с низким энергопотреблением. Авторы, разработчики данной модели, систематически рассматривают ее основы и расширенные возможности, а также модель для высокочастотных приложений.
В современных большомасштабных аналоговых интегральных схемах основными компонентами являются MOS-транзисторы и их соединения. При уменьшении размеров технологических процессов и снижении напряжения питания для сокращения энергопотребления точное поведение каждого транзистора становится еще более важным. Проектирование высокопроизводительных аналоговых схем требует детальной модели транзистора, которая точно описывает его статическое и динамическое поведение, шумы, ограничения соответствия и изменения температуры. Модель MOS-транзистора на основе зарядов EKV (Enz-Krummenacher-Vittoz) была разработана для обеспечения ясного понимания свойств устройства без использования сложных уравнений. Все статические, динамические, шумовые и не-квази-статические модели полностью описываются в терминах инверсионного заряда на истоке и стоке, используя симметрию устройства. Благодаря иерархической структуре, модель предлагает несколько последовательных уровней описания, от основных ручных расчетных уравнений до полной компьютерной моделирования. Она также компактна и имеет минимальное количество параметров, зависящих от технологического процесса.
Книга состоит из трех частей. В первой части авторы систематически рассматривают основную модель MOS-транзистора с длинным каналом, включая все фундаментальные аспекты модели EKV MOST, такие как основная модель при больших сигналах, модель шума, а также обсуждение температурных эффектов и свойств соответствия. Во второй части представлены расширенные возможности модели, которые важны для понимания работы транзисторов глубокого субмикронного уровня. В третьей части описывается модель высокочастотных приложений, представляющая собой полную модель MOS-транзистора, необходимую для проектирования интегральных схем RF CMOS.
Эта книга будет полезным руководством для инженеров и проектировщиков схем в полупроводниковой и электронной промышленности, занимающихся моделированием MOS-транзисторов для интегральных схем. Она также может служить в качестве справочного пособия для студентов старших курсов, изучающих электротехнику и компьютерную инженерию.
Электронная Книга «Charge-Based MOS Transistor Modeling» написана автором Eric Vittoz A. в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9780470855454
Описание книги от Eric Vittoz A.
Modern, large-scale analog integrated circuits (ICs) are essentially composed of metal-oxide semiconductor (MOS) transistors and their interconnections. As technology scales down to deep sub-micron dimensions and supply voltage decreases to reduce power consumption, these complex analog circuits are even more dependent on the exact behavior of each transistor. High-performance analog circuit design requires a very detailed model of the transistor, describing accurately its static and dynamic behaviors, its noise and matching limitations and its temperature variations. The charge-based EKV (Enz-Krummenacher-Vittoz) MOS transistor model for IC design has been developed to provide a clear understanding of the device properties, without the use of complicated equations. All the static, dynamic, noise, non-quasi-static models are completely described in terms of the inversion charge at the source and at the drain taking advantage of the symmetry of the device. Thanks to its hierarchical structure, the model offers several coherent description levels, from basic hand calculation equations to complete computer simulation model. It is also compact, with a minimum number of process-dependant device parameters. Written by its developers, this book provides a comprehensive treatment of the EKV charge-based model of the MOS transistor for the design and simulation of low-power analog and RF ICs. Clearly split into three parts, the authors systematically examine: the basic long-channel intrinsic charge-based model, including all the fundamental aspects of the EKV MOST model such as the basic large-signal static model, the noise model, and a discussion of temperature effects and matching properties; the extended charge-based model, presenting important information for understanding the operation of deep-submicron devices; the high-frequency model, setting out a complete MOS transistor model required for designing RF CMOS integrated circuits. Practising engineers and circuit designers in the semiconductor device and electronics systems industry will find this book a valuable guide to the modelling of MOS transistors for integrated circuits. It is also a useful reference for advanced students in electrical and computer engineering.
