Книга "Advanced Nanoelectronics. Post-Silicon Materials and Devices" представляет новаторские идеи в области исследований, имеющих высокий потенциал для приложений в будущей электронике CMOS нового поколения, охватывая материалы, физику, архитектуру и интеграционные аспекты. За последние четыре десятилетия мы стали свидетелями огромного роста полупроводниковой электроники, который был подогрет зрелой технологией комплементарного металлокислородного полупроводника (CMOS). Эта обширная книга охватывает новые варианты устройств в технологии CMOS, которые могут быть реализованы с использованием полупроводников, отличных от кремния. Рассматриваются германий, III-V материалы, углеродные нанотрубки и графен в качестве полупроводниковых материалов для трехмерных транзисторов на полевом эффекте. Также описываются нестандартные материалы, такие как нанопровода и нанотрубки, а также механические реле на основе наноэлектромеханических переключателей и полупроводниковая электроника с широкой запрещенной зоной, которые рассматриваются как важные дополнительные компоненты для улучшения возможностей связи и вычислительных возможностей. Книга начинается с обсуждения будущего CMOS, а затем включает обширное описание следующих глав: нанопроводные полевые транзисторы; двумерные материалы для электронных приложений; вызовы и прорывы интеграции германия в современный CMOS; логическая технология на основе углеродных нанотрубок; туннельные полевые транзисторы; энергоэффективные вычисления с отрицательной емкостью; спин-ориентированные устройства для логики, памяти и не-булевых архитектур; свойства терагерцовой области и применения галлия нитрида. Книга предлагает новаторские подходы для создания будущих, современных наноэлектронных устройств, обсуждая новые материалы и архитектуры, такие как альтернативные каналы на основе германия, нитрида галлия, одномерные нанопровода/нанотрубки, двумерный графен и другие дихалькогенидные материалы и ферроэлектрики. Также рассматриваются новые физические явления, такие как спинтроника, отрицательная емкость, квантовые вычисления и технология 3D-IC. Книга является важным ресурсом для создания электроники CMOS нового поколения и будет интересна материаловедам, физикам полупроводников, представителям полупроводниковой индустрии и электротехникам. Она позволяет ученым и исследователям в области полупроводников "выйти за рамки" и исследовать возможности, выходящие за пределы кремния.
Электронная Книга «Advanced Nanoelectronics. Post-Silicon Materials and Devices» написана автором Muhammad Hussain Mustafa в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9783527811830
Описание книги от Muhammad Hussain Mustafa
Brings novel insights to a vibrant research area with high application potential?covering materials, physics, architecture, and integration aspects of future generation CMOS electronics technology Over the last four decades we have seen tremendous growth in semiconductor electronics. This growth has been fueled by the matured complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. This comprehensive book captures the novel device options in CMOS technology that can be realized using non-silicon semiconductors. It discusses germanium, III-V materials, carbon nanotubes and graphene as semiconducting materials for three-dimensional field-effect transistors. It also covers non-conventional materials such as nanowires and nanotubes. Additionally, nanoelectromechanical switches-based mechanical relays and wide bandgap semiconductor-based terahertz electronics are reviewed as essential add-on electronics for enhanced communication and computational capabilities. Advanced Nanoelectronics: Post-Silicon Materials and Devices begins with a discussion of the future of CMOS. It continues with comprehensive chapter coverage of: nanowire field effect transistors; two-dimensional materials for electronic applications; the challenges and breakthroughs of the integration of germanium into modern CMOS; carbon nanotube logic technology; tunnel field effect transistors; energy efficient computing with negative capacitance; spin-based devices for logic, memory and non-Boolean architectures; and terahertz properties and applications of GaN. -Puts forward novel approaches for future, state-of-the-art, nanoelectronic devices -Discusses emerging materials and architectures such as alternate channel material like germanium, gallium nitride, 1D nanowires/tubes, 2D graphene, and other dichalcogenide materials and ferroelectrics -Examines new physics such as spintronics, negative capacitance, quantum computing, and 3D-IC technology -Brings together the latest developments in the field for easy reference -Enables academic and R&D researchers in semiconductors to «think outside the box» and explore beyond silica An important resource for future generation CMOS electronics technology, Advanced Nanoelectronics: Post-Silicon Materials and Devices will appeal to materials scientists, semiconductor physicists, semiconductor industry, and electrical engineers.
