Книга "Моделирование транспорта в наноустройствах" рассматривает вопросы, связанные с эффективностью передачи электрического тока в наноустройствах. В традиционных интегральных схемах, основным критерием оценки производительности является линейная зависимость между током и напряжением, однако данная зависимость не подходит для наноустройств из-за эффектов квантовой физики. В данной книге рассматриваются вопросы, связанные с транспортом зарядов в наноустройствах, у которых размеры заметно меньше, чем в традиционных схемах. В таких наноустройствах квантовые эффекты могут приводить к изменению статистики носителей заряда. В высоких электрических полях наблюдается бесстолкновительный баллистический транспорт, а в низких электрических полях транспорт остается преимущественно ограниченным рассеянием. Даже небольшое напряжение в 1 В в микро/нано-схемах может привести к появлению нелинейного поведения тока, что приводит к баллистическому насыщению тока. В книге также рассматриваются вопросы, связанные с квантовой эмиссией, которая может снизить баллистическую скорость.
Электронная Книга «Simulation of Transport in Nanodevices» написана автором Группа авторов в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9781118761779
Описание книги от Группа авторов
Linear current-voltage pattern, has been and continues to be the basis for characterizing, evaluating performance, and designing integrated circuits, but is shown not to hold its supremacy as channel lengths are being scaled down. In a nanoscale circuit with reduced dimensionality in one or more of the three Cartesian directions, quantum effects transform the carrier statistics. In the high electric field, the collision free ballistic transform is predicted, while in low electric field the transport remains predominantly scattering-limited. In a micro/nano-circuit, even a low logic voltage of 1 V is above the critical voltage triggering nonohmic behavior that results in ballistic current saturation. A quantum emission may lower this ballistic velocity.
