Книга "Silicon Non-Volatile Memories" представляет собой всеобъемлющий обзор различных технологических подходов, которые в настоящее время изучаются для удовлетворения требований будущих памятей. В книге рассматриваются два основных направления исследований. Авторы исследуют различные "эволюционные пути", основанные на новых материалах и новых структурах транзисторов, для расширения классической технологии плавающего затвора до узла 32 нм. Также рассматриваются "революционные пути", охватывающие поколения ИС с размерами 22 нм и меньше. Наконец, выявлены и проанализированы основные факторы, лежащие в основе этих явлений, предоставляя указания на будущие исследования и развитие в данной области.
В книге представлен исчерпывающий обзор различных технологических подходов, которые в настоящее время изучаются для удовлетворения будущих потребностей в памяти. Выделены и обсуждены два основных направления исследований. Рассмотрены различные "эволюционные пути", основанные на новых материалах и новых структурах транзисторов для расширения классического флэш-архитектуры до 32-нм технологического узла. Также рассмотрены "разрушительные пути", применяемы к 22-нм и более мелким поколениям ИС. Наконец, определены и проанализированы основные факторы, лежащие в основе этих явлений, что позволяет наметить будущие исследовательские работы и разработки в этой области.
Электронная Книга «Silicon Non-Volatile Memories» написана автором Barbara de Salvo в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9780470610398
Описание книги от Barbara de Salvo
This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed. Different “evolutionary paths” based on new materials and new transistor structures are investigated to extend classical floating gate technology to the 32 nm node. “Disruptive paths” are also covered, addressing 22 nm and smaller IC generations. Finally, the main factors at the origin of these phenomena are identified and analyzed, providing pointers on future research activities and developments in this area.
