В книге “Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride” автор Randall Feenstra описывает современные методы и приложения пористых полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной. Эта книга является всеобъемлющим справочником, который начинается с обзора технологии пористых широкозонных материалов и описывает научную основу каждой области применения. В книге также рассматриваются такие темы, как подготовка, характеристика и топография, обработка пористого SiC, медицинские приложения, магнитное поведение ионов и многие другие.
Электронная Книга «Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride» написана автором Randall Feenstra M. в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9780470751824
Описание книги от Randall Feenstra M.
Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride: Epitaxy, Catalysis, and Biotechnology Applications presents the state-of-the-art in knowledge and applications of porous semiconductor materials having a wide band gap. This comprehensive reference begins with an overview of porous wide-band-gap technology, and describes the underlying scientific basis for each application area. Additional chapters cover preparation, characterization, and topography; processing porous SiC; medical applications; magnetic ion behavior, and many more
