Книга "Физика и технология кристаллических оксидных полупроводников CAAC-IGZO" описывает применение технологии CAAC-IGZO (кристаллический оксидный полупроводник In-Ga-Zn с выравниванием кристаллической оси вдоль оси C) в интегральных схемах большой масштабности (LSI). В книге приводятся примеры применения этой технологии в неволатильных и динамических запоминающих устройствах на основе оксидных полупроводников, центральных процессорах, программируемых матрицах логических элементов, изображениях сенсоров и т.д. Кроме того, книга охватывает физику устройств (например, характеристики в отключенном состоянии) полевых транзисторов CAAC-IGZO и технологию производства гибридной структуры из CAAC-IGZO и кремниевых полевых транзисторов. В книге объясняется технология с очень низким током в отключенном состоянии, используемая в LSI-цепях, что позволяет снизить потребление энергии в прототипах LSI, изготовленных гибридным процессом. В дополнение к этой книге, в серии планируется издание двух других книг, которые будут посвящены основам и конкретным приложениям CAAC-IGZO в ЖК- и ОLED-дисплеях. Основные особенности книги: • Описывает физику и характеристики полевых транзисторов CAAC-IGZO, которые обеспечивают хорошую работу LSI-устройств. • Объясняет применение CAAC-IGZO в LSI-устройствах, выделяя такие преимущества, как низкий ток в отключенном состоянии, низкое энергопотребление и отличную сохраняемость заряда. • Описывает неволатильные и динамические запоминающие устройства на основе оксидных полупроводников, центральные процессоры, программируемые матрицы логических элементов, изображения сенсоров и т.д., ссылаясь на прототипные чипы, изготовленные гибридным процессом из CAAC-IGZO и кремниевых полевых транзисторов.
Электронная Книга «Physics and Technology of Crystalline Oxide Semiconductor CAAC-IGZO» написана автором Группа авторов в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9781119247425
Описание книги от Группа авторов
This book describes the application of c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) technology in large-scale integration (LSI) circuits. The applications include Non-volatile Oxide Semiconductor Random Access Memory (NOSRAM), Dynamic Oxide Semiconductor Random Access Memory (DOSRAM), central processing unit (CPU), field-programmable gate array (FPGA), image sensors, and etc. The book also covers the device physics (e.g., off-state characteristics) of the CAAC-IGZO field effect transistors (FETs) and process technology for a hybrid structure of CAAC-IGZO and Si FETs. It explains an extremely low off-state current technology utilized in the LSI circuits, demonstrating reduced power consumption in LSI prototypes fabricated by the hybrid process. A further two books in the series will describe the fundamentals; and the specific application of CAAC-IGZO to LCD and OLED displays. Key features: • Outlines the physics and characteristics of CAAC-IGZO FETs that contribute to favorable operations of LSI devices. • Explains the application of CAAC-IGZO to LSI devices, highlighting attributes including low off-state current, low power consumption, and excellent charge retention. • Describes the NOSRAM, DOSRAM, CPU, FPGA, image sensors, and etc., referring to prototype chips fabricated by a hybrid process of CAAC-IGZO and Si FETs.
