Данная книга представляет методику расчета основных параметров полупроводников, таких как ширина запрещенной зоны, энергия ионизации примесных и рекомбинационных центров. Эти параметры определяются по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности. Книга может быть полезна для специалистов в области полупроводниковой электроники и физики полупроводников, а также для студентов, изучающих эти дисциплины.
Описаны методы расчета параметров полевых транзисторов на основе новых физических представлений об увеличении сопротивления электрон-электронного взаимодействия с ростом напряженности поля в транзисторе мощных малошумящих транзисторов.
Электронная Книга «Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям эдс холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности» написана автором Федор Маняхин в 2002 году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
Описание книги от Федор Маняхин
Приведена методика расчета основных параметров полупроводника – ширины запрещенной зоны, энергии ионизации примесных и рекомбинационных центров – по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности.
