Дано мне описание новой книги Лачупа, Автор: Стивен Волдмэн Х. Книга посвящена возобновлению интереса к принципу лачупинга в условиях эволюции технологии CMOS (металл-оксид-полупроводник), масштабирования MOSFET (мощный полевой транзистор с затвором на основе окислов металла) и интегральной системы SOC (система на кристалле). Требуются прозрачные методологии защиты от лачупинга с пониманием физики, технологии и вопросов, связанных с проектированием цепей. В книге описывается полупроводниковая технология CMOS и BiCMOS и их чувствительность к современным феноменам лачуринга, начиная от основных условий перенапряжения и перенапряжения тока, однократного лачуринга (SEL) и событий разряда кабеля (CDE) до цепных феноменов лачуринга. В ней рассматриваются главы, посвященные физике биполярных транзисторов, теории лачупинга, структурам защиты контура и структуре уровня цепочки, тестированию уровня цепочки и результатам тестирования уровня продукта. Обсуждаются современные решения в области проектирования полупроводников, дизайна схемы и уровня лачуринга и систем уровня, а также: полупроводниковые решения для лачунинга в CMOS, такие как неглубокие траншеи, глубокие траншеи и ретроградные скважины, связующие примеси, коллектора с незначительным утечкой, сильногетерогенные скрытые слои и сетка переменного тока. Кроме того, приведены практические методы проектирования лачурингов, автоматизированные и базовые методы тестирования лачурования, теория сопротивления логарифма пространства, обобщенная альфа - амплитуда а, бета (бета) пространства. Кроме того, даются новые методики лачуринга от теоретического анализа до практического применения, примеры методик проектирования лачуринга с помощью САПР от проверки правил проектирования и логического проектирования до новых методик САПР лачурингования для внутреннего и внешнего лачуринговании на местном и глобальном уровнях
Latch-Up: Semiconductor Device, Circuit, and System Considerations, Second Edition by Steven Voldman, Paul S. Hooper, Bobby Onofrio is your guide through the world of charge injection, high voltage transients, and technology scaling.
Электронная Книга «Latchup» написана автором Steven Voldman H. в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9780470516164
Описание книги от Steven Voldman H.
Interest in latchup is being renewed with the evolution of complimentary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology, metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) scaling, and high-level system-on-chip (SOC) integration. Clear methodologies that grant protection from latchup, with insight into the physics, technology and circuit issues involved, are in increasing demand. This book describes CMOS and BiCMOS semiconductor technology and their sensitivity to present day latchup phenomena, from basic over-voltage and over-current conditions, single event latchup (SEL) and cable discharge events (CDE), to latchup domino phenomena. It contains chapters focusing on bipolar physics, latchup theory, latchup and guard ring characterization structures, characterization testing, product level test systems, product level testing and experimental results. Discussions on state-of-the-art semiconductor processes, design layout, and circuit level and system level latchup solutions are also included, as well as: latchup semiconductor process solutions for both CMOS to BiCMOS, such as shallow trench, deep trench, retrograde wells, connecting implants, sub-collectors, heavily-doped buried layers, and buried grids – from single- to triple-well CMOS; practical latchup design methods, automated and bench-level latchup testing methods and techniques, latchup theory of logarithm resistance space, generalized alpha (a) space, beta (b) space, new latchup design methods– connecting the theoretical to the practical analysis, and; examples of latchup computer aided design (CAD) methodologies, from design rule checking (DRC) and logical-to-physical design, to new latchup CAD methodologies that address latchup for internal and external latchup on a local as well as global design level. Latchup acts as a companion text to the author’s series of books on ESD (electrostatic discharge) protection, serving as an invaluable reference for the professional semiconductor chip and system-level ESD engineer. Semiconductor device, process and circuit designers, and quality, reliability and failure analysis engineers will find it informative on the issues that confront modern CMOS technology. Practitioners in the automotive and aerospace industries will also find it useful. In addition, its academic treatment will appeal to both senior and graduate students with interests in semiconductor process, device physics, computer aided design and design integration.
