Книга "Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design" (Теория и конструкция изолированного биполярного транзистора с изолирующим затвором) представляет собой исчерпывающее и актуальное руководство по проектированию и производству IGBT. Она объясняет основы физики MOS и биполярных транзисторов, описывает работу IGBT, дизайн устройств и процессов, силовые модули и новые структуры IGBT. Книга является всеобъемлющим ресурсом для всех, кто интересуется изучением данной темы.
Электронная Книга «Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design» написана автором Vinod Khanna Kumar в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9780471660996
Описание книги от Vinod Khanna Kumar
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
