Книга "Гетеропереходные биполярные транзисторы для проектирования схем" является обширным справочником по моделированию и методам извлечения параметров биполярных транзисторов с гетеропереходом в схемах. Гетеропереходный биполярный транзистор (HBT) является одним из наиболее важных устройств для микроволновых приложений. В книге детально описываются точные модели устройств для HBT и проектирование высокоуровневых ИС с использованием HBT. Книга представляет собой ценный справочник по основным вопросам моделирования и конкретным моделям полупроводниковых устройств, используемых в симуляторах схем, с обширным списком литературы в конце каждой главы для дальнейшего изучения. В книге описываются методы моделирования и методы извлечения параметров для гетеропереходных биполярных транзисторов, с акцентом на симуляцию и проектирование схем. Также представлены теория и инструменты, связанные с электрическими/РЧ-инженерными задачами, включая эквивалентные схемы и их матричные описания, шум, методы анализа малого и большого сигнала.
Эта книга будет более полезна компаниям, разрабатывающим электронику, а конкретно – разработки с использованием полупроводниковых гетеропереходных биполярных транзисторов (heterojunction bipolar transistor, сокращенно – HBT). Однако для этого необязательно какое-то особенное образование или опыт: историки от электроники могут почерпнуть отсюда немного и о 60-80 годах, когда были наиболее актуальны многие из рекомендованных здесь публикаций. Китайская инженерная школа в основном описывает работы западных авторов, ей бы позавидовал сам Сергей Бахурин, блестящий специалист по истории и практике электроники и немного бэконовской ябеды. Вот обзоры некоторых из упомянутых авторов и поводов для исследований, обо всем по порядку.
Рафаэль Поза "Hetero-Bipolar Devices in Microwave and Millimeter-Wave Integrated Circuits". Эта книга представляет собой сборник из трех основных частей. В первой обсуждается структура биполярного полупроводника, ориентированная на гетеропереходы, большие сигналы, основы дального представления и текущие технические проблемы HBT. Во второй рассказывается об основах СВЧ устройства и подробно анализируется разработка HBT с помощью волновых схемотехнических компонентов. Третья глава рассматривает детали моделей и методы оптимизации, знание которых пригодится в следующий раз, как речь зайдет о разработке гетеропереходного биполярного транзистора для тонкопленочных интегральных схем. Помимо них, рецензент находит полезными акценты на интегральность, особенности монтажа компонентов и принципы ошибок, известные как статистические модели процессов. Кстати, автор, Рафаэль Поза, также имеет отношение к отрасли телекоммуникаций. Книга с ее легкой руки может быть интересна и электронщикам цифрового профиля. Российский специалист Владимир Сокол "Полупроводники и Биполярные ТРАНЗИСТОРЫ". Его взгляд на полупроводники и биполярные гетероструктуры отличается от западного на диапазон от магнитно-планарного полупроводника до устройства с внутренним отражением, чья работа основана на BJT в цифровом семинаре. Конструкция и характеристики транзисторов, применяемiх в аналоговых интегральных схемах и режиме усиления DC-SD, освещаются автором на протяжении добрых двадцати пяти страниц в пухлой книге опубликованной в двух частях. Большой плюс для вдумчивых изыскателей составляет особый подход автора к волноводным устройствам и микроволновым интерфейсам для балансировки. Не обойдется без напряжения - без него ни одна микросхема не работает; однако его подача будет доступной для любителей единения теории и практики – вот такая интрига. Более подробно космическая волна описания приводится в книге. О способах управления BJT, идеальных точечных и оммических импедансов сопротивления, импульсных режимах, нелинейной модели – художественная линия. Хотя божественные паттерны не скрыты под замком, но они здорово спрятаны в обширной библиографии. Келли Тернер. Моделирование и анализ биполярной схемы DARLINGTON. Восторги девушки крайне аргументированы – в книге описывается метод моделирования биполярной структуры Darlington, что является передовой в сфере вычислений, уделено достойное внимание и скетчированию, ведь эскизирование является полезным инструментом исследования и апробации результатов стадий проектирования. Процесс траектория включает в себя начальное моделирование с акцентом на пограничный слой пищи, за которым следует конвергенция, просхождение и выход на именно тот режим, который намечен разработчиком. Технически продвинута техника граничного слоя, которая включает в себе актуальные системы дефференциальных уравнений, сводящиеся к их асимптотике для промежутка перехода с высокого разрешения в низкозатратный сегмент информации при приближении на желаемую точность численного решения и, конечно, ключевое слово конечное элементовычисление. У всех этих методов есть озона американских розы меняниях: круговорот конвекции, теории мытья, экологический анализ баланса. Словом, не скучная книжка.
Электронная Книга «Heterojunction Bipolar Transistors for Circuit Design» написана автором Jianjun Gao в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9781118921548
Описание книги от Jianjun Gao
A highly comprehensive summary on circuit related modeling techniques and parameter extraction methods for heterojunction bipolar transistors • Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) is one of the most important devices for microwave applications. The book details the accurate device modeling for HBTs and high level IC design using HBTs • Provides a valuable reference to basic modeling issues and specific semiconductor device models encountered in circuit simulators, with a thorough reference list at the end of each chapter for onward learning • Offers an overview on modeling techniques and parameter extraction methods for heterojunction bipolar transistors focusing on circuit simulation and design • Presents electrical/RF engineering-related theory and tools and include equivalent circuits and their matrix descriptions, noise, small and large signal analysis methods
