"Fundamentals of Silicon Carbide Technology" - это комплексное введение и актуальный справочник по силовым полупроводниковым устройствам на основе карбида кремния, охватывающий темы от свойств материалов до применений. Основываясь на ряде прорывов в науке о материалах на основе карбида кремния и технологии изготовления в 1980-х и 1990-х годах, первые диоды Шоттки на основе карбида кремния (SBD) были выпущены в качестве коммерческих продуктов в 2001 году. Рынок SBD на основе карбида кремния вырос значительно с того времени, и SBD теперь используются в различных силовых системах, в особенности в источниках питания с переключением и управлении двигателями. Силовые MOSFET на основе карбида кремния начали выпускаться в коммерческом производстве в 2011 году, обеспечивая прочные, высокоэффективные переключатели для высокочастотных силовых систем. В этой обширной книге авторы опираются на свой значительный опыт, чтобы представить как введение в материалы, устройства и применения на основе карбида кремния, так и глубокий справочник для ученых и инженеров, работающих в этой быстро развивающейся области. "Fundamentals of Silicon Carbide Technology" охватывает основные свойства материалов на основе карбида кремния, технологию обработки, теорию и анализ практических устройств, а также обзор наиболее важных системных применений. Включаются: полное обсуждение свойств материалов на основе карбида кремния, технологии роста объемных кристаллов, эпитаксиального роста, технологии изготовления устройств и методов характеризации. Физика устройств и уравнения работы для диодов Шоттки, пин-диодов, JBS/MPS диодов, JFETs, MOSFETs, BJTs, IGBT и тиристоров. Обзор применений силовой электроники, включая источники питания с переключением, приводы двигателей, преобразователи для электрических автомобилей и преобразователи для возобновляемых источников энергии. Описание специальных применений, включая микроволновые устройства, высокотемпературную электронику и прочные датчики. Книга иллюстрирована на протяжении всего текста и написана признанными экспертами с более чем 45-летним опытом исследований и разработок на основе карбида кремния. Книга предназначена для аспирантов и исследователей в области кристаллографии, науки о материалах и технологии полупроводниковых устройств. Книга также полезна для инженеров-конструкторов, инженеров-прикладников и менеджеров продукта в областях, таких как источники питания, проектирование преобразователей и инверторов, технологии электромобилей, высокотемпературная электроника, датчики и умные сети.
Fundamentals of Silicon Carbide Technology - от Джеймса А. Купера.
Эта книга представляет собой обширное введение и последнюю информацию по полупроводниковым устройствам на основе карбида кремния, охватывающие широкий ряд тем: от свойств материала до областей применения.
Электронная Книга «Fundamentals of Silicon Carbide Technology» написана автором James A. Cooper в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9781118313541
Описание книги от James A. Cooper
A comprehensive introduction and up-to-date reference to SiC power semiconductor devices covering topics from material properties to applications Based on a number of breakthroughs in SiC material science and fabrication technology in the 1980s and 1990s, the first SiC Schottky barrier diodes (SBDs) were released as commercial products in 2001. The SiC SBD market has grown significantly since that time, and SBDs are now used in a variety of power systems, particularly switch-mode power supplies and motor controls. SiC power MOSFETs entered commercial production in 2011, providing rugged, high-efficiency switches for high-frequency power systems. In this wide-ranging book, the authors draw on their considerable experience to present both an introduction to SiC materials, devices, and applications and an in-depth reference for scientists and engineers working in this fast-moving field. Fundamentals of Silicon Carbide Technology covers basic properties of SiC materials, processing technology, theory and analysis of practical devices, and an overview of the most important systems applications. Specifically included are: A complete discussion of SiC material properties, bulk crystal growth, epitaxial growth, device fabrication technology, and characterization techniques. Device physics and operating equations for Schottky diodes, pin diodes, JBS/MPS diodes, JFETs, MOSFETs, BJTs, IGBTs, and thyristors. A survey of power electronics applications, including switch-mode power supplies, motor drives, power converters for electric vehicles, and converters for renewable energy sources. Coverage of special applications, including microwave devices, high-temperature electronics, and rugged sensors. Fully illustrated throughout, the text is written by recognized experts with over 45 years of combined experience in SiC research and development. This book is intended for graduate students and researchers in crystal growth, material science, and semiconductor device technology. The book is also useful for design engineers, application engineers, and product managers in areas such as power supplies, converter and inverter design, electric vehicle technology, high-temperature electronics, sensors, and smart grid technology.
