Книга "Фотоэлектрические явления" посвящена изучению свойств широкозонных полупроводников с глубокими примесными уровнями, применяемыми в гетероструктурной электронике. В ней рассматриваются основные составляющие физики этих материалов и основные механизмы, связанные с генерацией фотоэлектрического эффекта и вытеканием заряда через межпереходный контакт.
Автором исследуется физический механизм генерации фототермоэдс в пленках A2B6. Выявление комплексных характеристик фототермоэлектрических эффектов (энергия активации фототока и свойства границы) позволяет контролировать свойства межграничных барьеров при нанесении межслоевого слоя. Также рассматривается структура границы по поглощению пленок с целью удобства анализа спектрального состава фотопроводимостей и замыкания тока.
Книга будет полезна ученым, инженерам и студентам, интересующимся физикой и технологией построения быстродействующих электронных устройств, а также лазерно-оптических систем. Предлагаемые в работе методы и подходы могут быть использованы для создания оптоэлектронной техники, фотосинтетических элементов энергии и солнечных батарей, использующих широкозонные полупроводники.
Монография посвящена изучению фотоэлектрических явлений в широкозонных полупроводниках с глубокими донорными уровнями проводимости. Приведены механизмы образования фото ЭДС и фототока. Изучена структура края оптического поглощения для упрощения интерпретации спектральных зависимостей фотоэдс и фототоков. Монографию можно использовать для научных работников и студентов в области технической физики и полупроводниковой электроники.
Электронная Книга «Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография» написана автором Салим Мадрахмович Отажонов в году.
Минимальный возраст читателя: 12
Язык: Русский
ISBN: 9785005913517
Описание книги от Салим Мадрахмович Отажонов
В монографии приводятся физические свойства и механизм образования фото-ЭДС в пленках А2В6. Комплексное изучение фото-ЭДС и фотопроводимости позволил определить энергии их активации и свойства межкристаллических барьеров вдоль слоя. Рассмотрена структура края поглощения пленок для упрощения анализа спектров фотопроводимости и тока замыкания. Монография предназначена для научных работников, студентов и аспирантов тех. образования. Монография рекомендована к печати Ученым советом ФерГУ.
