Пятая часть учебного пособия посвящена подробному анализу физических процессов, протекающих в полевых транзисторах на основе арсенида галлия с барьером Шоттки. Этот тип транзисторов является наиболее быстродействующим и широко применяется в СВЧ-диапазоне. В книге представлена электрофизическая модель полевых транзисторов данного типа, а также приведены практические результаты, подтверждающие адекватность разработанной модели. Материал пособия будет полезен студентам, специализирующимся в области проектирования высокоскоростных электронных устройств на основе твердотельной элементной базы.
В учебном пособии в 4-х частях излагаются основы физики процесса, протекающего в ключевых приборах полупроводниковой электроники: полевых транзисторах, использующих принцип напряжения на гетерогранице, оксидных полупроводниках, биполярных транзисторах и источниках тока.
#учебники и пособия для вузов
