Книга "Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур" описывает физические принципы работы биполярных и полевых транзисторов, использующих гетероструктурные композиции. Книга рассматривает новое направление электроники - гетероструктурную наноэлектронику, которая входит в более масштабное направление - нанотехнологии. В книге приводятся примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV и описываются зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Кроме того, в книге рассматриваются механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs. Большой интерес в книге уделяется самоупорядоченным наноструктурам, которые используются в создании нанотранзисторов, фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.
Электронная Книга «Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур» написана автором Алексей Ковалев в 2011 году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
Описание книги от Алексей Ковалев
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.
