В книге Р. Х. Акчурина “МОС-гидридная эпитаксия в технологиях материалов фотоники и электроники” рассматриваются теоретические и практические основы МОС-гидридного эпитаксиального процесса - одного из самых гибких и эффективных методов создания полупроводниковых структур, основанного на использовании моносилана (SiH4). Автор описывает физико-химические принципы метода, а также высокопроизводительное оборудование и методы in situ для контроля роста эпитаксиальных слоёв. В работе также рассматриваются вопросы моделирования процессов и приводятся практические примеры формирования эпитаксиальных структур на основе полупроводников A II B V, A I B VI и твёрдых растворов, которые являются основными материалами для современной оптоэлектроники и инфракрасной техники. Отдельное внимание уделяется созданию наноразмерноых эпитаксиальных структур и гетероструктур, основанных на нитридах элементов III группы. Кроме того, в книге рассматриваются вопросы адаптации МОС-эпитаксии для получения новых материалов для электронной техники. Книга будет полезна специалистам в области технологий, связанных с созданием материалов для фотоники и электронной техники.
В книге рассматриваются теоретические и практические стороны МОС гидридной эпитаки П(МОСГЭ). Приводятся методы контроля рпста in situ. Васрты предназачения для псследований процесса. Дается вплие активности процесса на структуру получаемых материалов.
Электронная Книга «МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники» написана автором Р. Х. Акчурин в 2018 году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
Серии: Мир материалов и технологий (Техносфера)
ISBN: 978-5-94836-521-3
Описание книги от Р. Х. Акчурин
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ , затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
