В книге "Конструирование компонентов и элементов микро- и наноэлектроники. Компьютерное моделирование оптоэлектронных приборов" рассматриваются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и интегральных схем. Приводится информация о структуре файлов программы, формировании данных по параметрам моделируемых материалов на основе кремния, арсенида галлия и других полупроводников. Описаны примеры создания файлов свойств материалов и приборов, а также пример моделирования диода на гетероструктурах и солнечного элемента. Даются основные физические сведения о возможностях программы SimWindows для моделирования полупроводниковых структур и оптоэлектронных приборов. Книга предназначена для инженеров и научных работников, занимающихся разработкой и исследованием компонентов микро- и наноэлектроники.
Излагается теория работы программного комплекса SimWindows-1.5 для компьютерного моделирования полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Дается информация о файловых форматах программы, методике ввода параметров материала, состава моделей полупроводников GaAs, Si, электроприводов AlGaAs.
В учебном пособии излагаются основные теоретические аспекты работы программы имитационного моделирования твердотельных приборов и интегральных элементов, использования SimWindows версии 1. 5 для решения целого ряда инженерных задач в микро- и оптоэлектронике, рассмотрены типы файлов и пример создания файлов моделей материалов и полупроводниковых элементов на основе аморфных и кристаллических соединений.
Электронная Книга «Конструирование компонентов и элементов микро- и наноэлектроники. Компьютерное моделирование оптоэлектронных приборов» написана автором Геннадий Кузнецов в 2012 году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
Описание книги от Геннадий Кузнецов
В пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов, описывающих свойства материалов и приборов на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов III группы и их твердых растворов. Рассматривается пример моделирования диода с p-n-переходом на основе гетероструктур AlGaAs и солнечных элементов. Приводятся основные физические сведения о программе SimWindows.
