Химические методы роста электронных материалов являются краеугольным камнем обработки микроэлектронных приборов. Эта книга рассматривает применение металлоорганической химии для осаждения соединений полупроводников из газовой фазы. Обсуждаются методы осаждения из паровой фазы, используемые для получения полупроводниковых покрытий, а также свойства материалов, которые делают металлоорганические прекурсоры полезными в электронной промышленности, для различных материалов. Темы включают: техники роста соединений полупроводников, металлоорганические прекурсоры для MOVPE III-V, металлоорганические прекурсоры для MOVPE II-VI, одноисточниковые прекурсоры, химическое осаждение из паровой фазы, эпитаксия с атомарным слоем.
Несколько полезных приложений и тщательно подобранный актуальный список литературы дополняют этот практический справочник для специалистов в области материаловедения, химии твердого тела и органической химии, а также инженеров.
Эта книга представляет собой практическое пособие для ученых-материаловедов, неорганических и органо-металлических химиков, инженеров и других специалистов в этой области. Она обсуждает применение металлорганической химии для парофазного осаждения бинарных и многокомпонентных полупроводников. Здесь рассматриваются как методы осаждения полупроводников, так и свойства материалов, которые делают металлоорганические предшественники полезными в электронной промышленности.
Электронная Книга «CVD of Compound Semiconductors. Precursor Synthesis, Developmeny and Applications» написана автором Jones Anthony C. в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9783527614622
Описание книги от Jones Anthony C.
Chemical growth methods of electronic materials are the keystone of microelectronic device processing. This book discusses the applications of metalorganic chemistry for the vapor phase deposition of compound semiconductors. Vapor phase methods used for semiconductor deposition and the materials properties that make the organometallic precursors useful in the electronics industry are discussed for a variety of materials. Topics included: * techniques for compound semiconductor growth * metalorganic precursors for III-V MOVPE * metalorganic precursors for II-VI MOVPE * single-source precursors * chemical beam epitaxy * atomic layer epitaxy Several useful appendixes and a critically selected, up-to-date list of references round off this practical handbook for materials scientists, solid-state and organometallic chemists, and engineers.
