Книга “Advanced Calculations for Defects in Material” представляет собой обзор современных методов расчета дефектов в материалах. В книге рассматриваются различные методы расчета электронной структуры, такие как гибридные функционалы, экранирование и методы +U, а также методы решения уравнений Бете-Салпетера и Монте-Карло. Особое внимание уделяется преодолению побочных эффектов, связанных с моделированием в ограниченном объеме. Редакторы - известные специалисты в этой области, которые также знают о прошлых разработках и текущих достижениях. Они выбрали уважаемых ученых в качестве авторов глав, чтобы представить экспертное мнение о последних достижениях. Результатом является ясный обзор связей и границ между этими методами, а также широких критериев, определяющих выбор между ними для данного материала.
Электронная Книга «Advanced Calculations for Defects in Materials» написана автором Группа авторов в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9783527638543
Описание книги от Группа авторов
This book investigates the possible ways of improvement by applying more sophisticated electronic structure methods as well as corrections and alternatives to the supercell model. In particular, the merits of hybrid and screened functionals, as well as of the +U methods are assessed in comparison to various perturbative and Quantum Monte Carlo many body theories. The inclusion of excitonic effects is also discussed by way of solving the Bethe-Salpeter equation or by using time-dependent DFT, based on GW or hybrid functional calculations. Particular attention is paid to overcome the side effects connected to finite size modeling. The editors are well known authorities in this field, and very knowledgeable of past developments as well as current advances. In turn, they have selected respected scientists as chapter authors to provide an expert view of the latest advances. The result is a clear overview of the connections and boundaries between these methods, as well as the broad criteria determining the choice between them for a given problem. Readers will find various correction schemes for the supercell model, a description of alternatives by applying embedding techniques, as well as algorithmic improvements allowing the treatment of an ever larger number of atoms at a high level of sophistication.
