В качестве замены флэш-памяти рассматриваются различные технологии от нанокристаллов до магнитной памяти, но разработчики по-прежнему считают наиболее приемлемой технологией память, механизм действия которой основан на изменении фазового состояния вещества.
Предыдущая тема по теме - «Intel: Массовое производство PRAM к концу 2007 года» В 2006 году Intel совместно с STMicroelectronics продемонстрировала чип памяти, основанный на технологии, над которой работали уже 30 лет. Названы первые образцы чипа Алверстон .
В основе чипов Алверстон лежит материал, аналогичный тому, который используется для создания оптических дисков ( халькогенидное стекло ), а принцип действия основан на фазовых переходах.
Впервые об этой технологии стало известно более 30 лет назад, в 1970 году, когда один из основателей компании Intel, Гордон Мур вышла статья о «фазовой памяти».
Принцип работы «фазовой памяти»:
Материалом является халькогенидное стекло (GST), состоящее из германия (Ge), сурьмы (Sb) и теллура (Te).
В нормальном (холодном) состоянии материал представляет собой аморфную стекловидную структуру с высоким электрическим сопротивлением (состояние 1).
При воздействии высоких температур (до 600 градусов Цельсия) материал кристаллизуется; здесь важно добиться температуры выше температуры кристаллизации, но ниже температуры плавления материала, тогда материал будет иметь очень низкое сопротивление (состояние 2).
В результате фазового перехода изменяются как электрические характеристики, так и оптические характеристики (показатель преломления).
Этот переход может быть осуществлен менее чем за 5 нс (по состоянию на 2006 г.
).
Состояние 1 (слабоорганизованное) используется для приема сигнала низкий уровень , а состояние 2 (жестко структурированное) – сигнал высокий уровень .В феврале этот Intel объявила о разработке, которая позволит удвоить возможную мощность чипов на основе технологии фазового перехода.
Раньше «фазовая память» реализовывалась двумя состояниями (описанными выше), но исследователи показали, что между аморфным и кристаллическим состояниями есть еще два, которые также можно использовать для хранения информации.
Добавив два бита на ячейку, Intel и STMicroelectronics добились значительного увеличения производительности чипа.
Ранее компания Intel уже освоила аналогичный трюк с флэш-памятью, в которой в каждой ячейке памяти может храниться более одного бита, поэтому неудивительно, что аналогичный шаг будет сделан при разработке «фазовой памяти».
Исследования «фазовой памяти» значительно продвинулись за последние несколько лет, и если еще несколько лет назад переход к ее массовому производству не выглядел многообещающим, то сейчас в этом нет ни тени сомнения.
Основные преимущества и отличия «фазовой памяти»:
- использование собственного физического состояния, а не электронного заряда для хранения данных,
- возможность использования не только как ДРАМ И СРАМ , но и как энергонезависимая память,
- меньше энергопотребления,
- возможность разместить больше элементов на кристалле,
- высокая устойчивость к внешним воздействиям,
- долговечность (выдерживает около 100 миллионов циклов перезаписи, а также медленнее вырождается),
- более высокая скорость записи и чтения.
-
Catia: Из Истории Одного Проекта
19 Oct, 24 -
Не Компьютерная Мышь И Высокие Технологии
19 Oct, 24 -
Немного О Проектировании Самосинхронных Схем
19 Oct, 24
