Прошло меньше года с тех пор, как Samsung и Toshiba решили совместно разработать флэш-память NAND с интерфейсом Toggle DDR 2.0. В мае этого года Samsung объявила о начале производства чипа NAND 64 Гбит (8 ГБ) с многоуровневыми ячейками и вышеуказанным интерфейсом.
Новинка производится по технологии класса 20 нм и имеет пропускную способность 400 Мбит/с.
Это в 10 раз быстрее, чем самая распространенная сегодня память NAND SDR (Single Data Speed), обеспечивающая пропускную способность до 40 Мбит/с, и в три раза выше производительность памяти Toggle DDR 1.0, которая ограничена 133 Мбит/с.
Разработка ориентирована в первую очередь на рынок высокопроизводительных смартфонов, планшетов и твердотельных накопителей.
Таким образом, представленные чипы обеспечат существенный прирост производительности смартфонов и твердотельных накопителей нового поколения с интерфейсом SATA3 (скорость передачи данных может достигать 6 Гбит/с).
В свою очередь, Toshiba уже готова выпустить память NAND по 19-нанометровой технологии.
В прошлом месяце компания начала пробные поставки чипов емкостью 8 ГБ с двухбитными ячейками.
Шестнадцать таких чипов, упакованных в один корпус, позволяют создавать флешки емкостью 128 ГБ для коммуникаторов, планшетов и других гаджетов.
Кроме того, недавно компания Samsung начала массовое производство модулей памяти DDR3 емкостью 32 ГБ на базе чипов DRAM объемом 4 Гбит, которые созданы по техпроцессу класса 30 нм.
Новая оперативная память типа RDIMM (регистрированный двухрядный модуль памяти) предназначена для использования в серверных системах.
RDIMM объемом 32 ГБ способны работать на достаточно высокой частоте 1866 МГц и требуют напряжения питания 1,35 Вольта.
Если сравнивать их с предшественниками аналогичной емкости, построенными на 40-нм классе DRAM, то они выдают рабочую частоту всего 1333 МГц при напряжении питания 1,5 Вольта.
Компания Samsung начала выпускать 4-гигабитные чипы DDR3 DRAM класса 30 нм в феврале прошлого года, а в ближайшем будущем компания планирует начать поставки аналогичных решений на базе более актуального сейчас техпроцесса класса 20 нм.
Ожидается, что поставки новейших чипов начнутся во второй половине этого года.
Теги: #sdr #DRAM #samsung Electronics #NAND #DDR3 #RDIMM #toggle ddr #sata3 #mlc flash #slc flash
-
Новый Логотип Google К 12 Июня - Дню России
19 Dec, 24 -
Летняя Мобилизация Gearbest
19 Dec, 24 -
Отслеживание Статуса Небольшого Проекта
19 Dec, 24 -
(Мой Язык) [Лучший] Враг (Мой) [Хороший]
19 Dec, 24
