Эта книга посвящена вопросам проектирования и технологии электронной компонентной базы, в частности полупроводниковым приемникам излучений. Рассматриваются физические основы работы полупроводниковых фотоприемников, их конструкция и особенности технологии изготовления. Подробно описаны материалы, используемые для создания фотоприемников, а также методы формирования p-n переходов. Отдельная глава посвящена фотодиодам на основе соединений A3B5, кремния и германия.
Анализируются основные характеристики и параметры полупроводниковых фотоприемников, такие как спектральная чувствительность, квантовая эффективность, шумы. Рассмотрены особенности конструкций фотодиодов, лавинных и пин-фотодиодов. Описаны методы расчета и оптимизации параметров фотоприемников различных типов.
Книга будет полезна инженерам и научным работникам, занимающимся разработкой и исследованием полупроводниковых приемников оптического излучения. Материал изложен доступно, содержит примеры расчетов и рекомендации по практическому применению полученных знаний.
Рассмотрены физическая сущность оптических явлений, принципы работы полупроводниковых фотоприемников и электронные цепи принцип их включения и применения.
Рассмотрены физические основы, технология производства, характеристики фотоприемных полупроводниковых приборов, а также основные методы усиления и преобразования оптического излучения с помощью полупроводников.
#учебники и пособия для вузов
#радиотехника
#электроника
