Книга "Введение в технологию материалов для микроэлектроники" включает три части, третья часть рассматривает эпитаксиальные технологии, процесс, используемый при создании тонких пленок на подложках при низких температурах.
Электронная Книга «Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост» написана автором Коллектив авторов в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
ISBN: 978-5-507-45481-5
Описание книги от Коллектив авторов
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.