Эта книга впечатляющим образом охватывает наше текущее понимание карбида кремния как полупроводникового материала в электронике. Его физические свойства делают его более перспективным для мощных устройств, чем кремний. Книга посвящена материалу и охватывает методы эпитаксиального и объемного роста. Подробно обсуждается идентификация и характеризация дефектов. Вклад авторов помогает читателю развить более глубокое понимание дефектов, сочетая теоретический и экспериментальный подходы. Помимо применений в силовой электронике, датчиках и НЭМС, карбид кремния недавно приобрел новый интерес в качестве подложки для изготовления контролируемого графена. Исследования карбида кремния и графена ориентированы на конечные рынки и имеют большое влияние на области быстрорастущего интереса, такие как электромобили. Список авторов читается как "кто есть кто" в сообществе карбида кремния, сильно выигрывая от сотрудничества между исследовательскими институтами и предприятиями, активными в выращивании кристаллов карбида кремния и разработке устройств.
Эта книга в престижной форме охватывает наше современное понимание SiC как полупроводникового материала в электронике. Его физические свойства делают его более перспективным для мощных устройств, чем кремний. В этом издании речь идет о материале и охватывает методы эпитаксиального и объемного выращивания. Детально обсуждается идентификация и характеристика дефектов. Вклад помогает читателю получить более глубокое понимание дефектов, сочетая теоретические и экспериментальные подходы. Помимо применения в силовой электронике, сенсорах и NEMS, недавно SiC приобрел новый интерес как материал подложки для производства контролируемой графеновой подложки. Исследования SiC и графена ориентированы на конечные рынки и оказывают значительное влияние на быстро растущие области, такие как электромобили. Список участников напоминает «Кто есть кто» сообщества SiC, в значительной степени выигрывающего от сотрудничества между исследовательскими учреждениями и предприятиями, занимающимися выращиванием кристаллов SiC и разработкой устройств.
Электронная Книга «Silicon Carbide, Volume 1» написана автором Группа авторов в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9783527629060
Описание книги от Группа авторов
This book prestigiously covers our current understanding of SiC as a semiconductor material in electronics. Its physical properties make it more promising for high-powered devices than silicon. The volume is devoted to the material and covers methods of epitaxial and bulk growth. Identification and characterization of defects is discussed in detail. The contributions help the reader to develop a deeper understanding of defects by combining theoretical and experimental approaches. Apart from applications in power electronics, sensors, and NEMS, SiC has recently gained new interest as a substrate material for the manufacture of controlled graphene. SiC and graphene research is oriented towards end markets and has high impact on areas of rapidly growing interest like electric vehicles. The list of contributors reads like a «Who's Who» of the SiC community, strongly benefiting from collaborations between research institutions and enterprises active in SiC crystal growth and device development.
