Эта всеобъемлющая книга знакомит читателей с обширной темой резистивного переключения, предоставляя необходимые знания, инструменты и методы для понимания, характеризации и применения резистивных переключающихся запоминающих устройств. Начиная с материалов, демонстрирующих резистивное переключение, книга объясняет основы резистивного переключения, а также механизмы и модели переключения. Подробно обсуждается надежность памяти, далее следуют главы о структурах и архитектурах ячеек памяти, а раздел о логических вентилях завершает книгу. Эта самодостаточная книга незаменима для материаловедов, инженеров-электриков и физиков, занимающихся исследованиями и разработками в области памяти.
Эта всеобъемлющая книга знакомит читателей с обширной областью переключаемого сопротивления, предоставляя знания, инструменты и методы, необходимые для понимания, характеристики и применения элементов запоминания со переключаемым сопротивлением. Начиная с материалов, которые проявляют переключаемое сопротивление, в книге объяснены основы и механизмы переключаемого сопротивления и построены модели. Далее следует подробное обсуждение надежности памяти, за которым следуют главы о структуре и архитектуре ячеек памяти.
Электронная Книга «Resistive Switching. From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications» написана автором Waser Rainer в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Английский
ISBN: 9783527680948
Описание книги от Waser Rainer
With its comprehensive coverage, this reference introduces readers to the wide topic of resistance switching, providing the knowledge, tools, and methods needed to understand, characterize and apply resistive switching memories. Starting with those materials that display resistive switching behavior, the book explains the basics of resistive switching as well as switching mechanisms and models. An in-depth discussion of memory reliability is followed by chapters on memory cell structures and architectures, while a section on logic gates rounds off the text. An invaluable self-contained book for materials scientists, electrical engineers and physicists dealing with memory research and development.
