Книга "Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов, ИС и БИС. Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом" описывает, как разрабатывать и конструировать полупроводниковые приборы, интегральные схемы (ИС) и большие интегральные схемы (БИС). В книге представлены простые аналитические выражения, которые помогают определить базовые конструктивно-технологические параметры ИС и рассчитать динамические параметры, близкие к тем, которые получаются при более детальном моделировании с использованием программ схемотехнического моделирования MicroCap и PSPIСE.
В пособии предложена методика расчета параметров ПТ, качественно описывающая процессы, происходящие в схеме при функционировании (диапазон изменения температур 10..40 °С). Пособие разработано с учетом изменений в технологической базе проектирования, при производстве н- и р-канальных ПТ с подзатворным обедненным слоем (технология DryOS, LDD). Структура книги соответствует порядку разработки схем на ПЛИС, изготавливаемых по технологии Deep Submicrometer.
Рассматриваются расчетные основы проектирования полупроводниковых интегральных микросхем в субмикронном диапазоне с использованием комплекса математических моделей. Проводится анализ влияния геометро-топологических размеров структурных элементов на электрофизические свойства МДП и комплементарных металл-оксид-полупроводник (КМОП) полевых транзисторов и методы их оптимизации с учетом граничных условий тепловыделения и токовой нагрузки. Раскрываются математические методы расчета статических и динамических параметров КМОП интегральных схем с резисторами в транзисторах (РТ). Дается подробное описание процедур эксплуатации систем автоматизированного проектирования на основе использования САПР типа HSPICE и их графического интерфейса Design Center.
Электронная Книга «Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов, ИС и БИС. Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом» написана автором В. Н. Мурашев в 2000 году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
Описание книги от В. Н. Мурашев
В пособии показано, как с помощью достаточно простых аналитических выражений можно определить базовые конструктивно-технологические параметры ИС и рассчитать динамические параметры весьма близкие к тем, которые дает более детальное моделирование по пакетам программ схемотехнического моделирования MicroCap и PSPIСE.
