Книга "Гетероструктурная наноэлектроника" посвящена новому направлению в электронике - гетероструктурной наноэлектронике. Эта область является частью более широкой области нанотехнологии, которая включает в себя разработку полупроводниковых устройств и приборов с размерами менее одного микрометра. В книге приведены примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с активными областями размером менее одного микрометра. Также рассматриваются механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. В книге также отмечается интерес к самоупорядоченным наноструктурам, которые используются для создания фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн от 1,3 до 1,5 микрометров.
Настоящее издание посвящено основам и принципам гетероструктурной и наноэлектроники. Впервые представлено объемное исследование по данной тематике.
Электронная Книга «Гетероструктурная наноэлектроника» написана автором Алексей Ковалев в 2009 году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
Описание книги от Алексей Ковалев
Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.
