Книга "Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет" посвящена изучению радиационных процессов в полупроводниках, которые возникают при облучении быстрыми частицами. Особый интерес в книге представляет процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки, который является основным фактором, определяющим концентрацию и свойства радиационных центров (РЦ) - вторичных радиационных дефектов, образующихся в результате взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. РЦ, которые стабильны во времени и по температуре, действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления. Книга представляет собой теоретическое исследование и содержит расчеты и описания физических процессов, связанных с радиационными процессами в полупроводниках.
В монографии с позиций радиационной технологий микроэлектроники исследуются процессы смещения атомов в кристаллической решетке полупроводника под воздействием быстрых частиц
анализируются особенности влияния облучения быстрыми электронами, протонами и ионами на смещение атомов, исследуется роль каналирования, а также рассчитываются коэффициенты вторичного радиационного ущерба и значения основных радиационных пороговых энергий для донорных и акцепторных ат
омов, с количественной точки зрения описывается образование и стабильное поведение радиационных комплексов, выявленных при сдвиге атомов.
Электронная Книга «Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет» написана автором В. Н. Мурашев в 2001 году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
Описание книги от В. Н. Мурашев
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления
