Пятая часть учебного пособия посвящена подробному анализу физических процессов, протекающих в полевых транзисторах на основе арсенида галлия с барьером Шоттки. Этот тип транзисторов является наиболее быстродействующим и широко применяется в СВЧ-диапазоне. В книге представлена электрофизическая модель полевых транзисторов данного типа, а также приведены практические результаты, подтверждающие адекватность разработанной модели. Материал пособия будет полезен студентам, специализирующимся в области проектирования высокоскоростных электронных устройств на основе твердотельной элементной базы.
В учебном пособии в 4-х частях излагаются основы физики процесса, протекающего в ключевых приборах полупроводниковой электроники: полевых транзисторах, использующих принцип напряжения на гетерогранице, оксидных полупроводниках, биполярных транзисторах и источниках тока.
Электронная Книга «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5» написана автором Юрий Раков в году.
Минимальный возраст читателя: 0
Язык: Русский
ISBN: 978-5-7782-1618-1
Описание книги от Юрий Раков
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
