Добрый вечер, Хабр! Вчера компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли памяти DDR4 RDIMM емкостью 64 ГБ.
Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся по передовому 20-нм техпроцессу.
Чипы собираются в единый стек с использованием новейшего метода сквозного соединения под названием TSV (Through Silicon Via).
Новые модули высокой плотности сыграют ключевую роль в дальнейшем развитии сегмента корпоративных серверов и облачных приложений, а также в диверсификации решений для центров обработки данных.
Запуск массового производства модулей 3D TSV знаменует собой начало новой вехи в истории технологий памяти; Напомним, последней важной разработкой Samsung в этой области стала флэш-память 3D Вертикальная NAND (V-NAND), впервые представленная в прошлом году.
В то время как технология 3D V-NAND основана на высоких вертикальных структурах массивов ячеек внутри монолитного кристалла, 3D TSV — это инновационная технология упаковки, которая позволяет соединять между собой вертикальные слои кристалла.
Для создания корпуса 3D TSV DRAM кристаллы DDR4 измельчаются до толщины в несколько десятков микрон, после чего в кристаллах проделываются сотни крошечных отверстий.
Они вертикально соединены друг с другом посредством электродов, пропущенных через эти отверстия.
В результате новый модуль 3D TSV имеет вдвое большую производительность и вдвое меньшее энергопотребление по сравнению с модулем, построенным на чип-проводе.
В ближайшем будущем Samsung планирует соединить между собой более четырех кристаллов DDR4 с использованием технологии 3D TSV для создания модулей DRAM более высокой плотности.
Это ускорит расширение решений для рынка памяти премиум-класса и, соответственно, переход от памяти DDR3 к памяти DDR4 на серверном рынке.
Компания Samsung усердно работает над улучшением технологии 3D TSV с 2010 года, когда были впервые разработаны модули DRAM RDIMM емкостью 8 ГБ, изготовленные по 40-нм технологии.
В этом году Samsung начала использовать новую систему производства корпусов TSV, предназначенную для массового производства новых серверных модулей.
Теги: #Samsung #DRAM #DDR4 #3D V-NAND #RDIMM #3d tsv
-
Вам Нужен Adobe Photoshop?
19 Oct, 24 -
Объявления В Заголовках
19 Oct, 24 -
Мфкаст №44. Много Гугла
19 Oct, 24 -
Доходы От Интернет-Рекламы Продолжают Расти
19 Oct, 24 -
Yahoo! Я Решил Закрыть Свой Фотосервис
19 Oct, 24
