256-384 гигабит на 32-слойном 3D-чипе
В обычной памяти NAND электрические элементы объединены в плоские структуры, а слои не связаны друг с другом.
В августе прошлого года Samsung начал производить Чипы V-NAND, состоящие из вертикально уложенных 24, а затем и 32 слоев ячеек.
Долгое время 3D-память производила только корейская компания, но 20 ноября этого года видеопрезентации для инвесторов Intel раскрыла планы по ответному решению.
Intel собирается уместить 256 гигабит (32 гигабайта) на одном чипе памяти NAND из 32 слоев с использованием технологии MLC (многоуровневая ячейка), которая хранит два бита в каждой ячейке, что требует калибровки четырех состояний.
При использовании TLC (трехуровневая ячейка, восемь состояний) этот объем увеличится в полтора раза до 384 гигабит (48 гигабайт).
Samsung работает над «плоскими» схемами на 14 нм.
Intel и Micron работают над 2D-памятью по техпроцессу 16 нм.
Но надежность 3D-памяти снижается по мере уменьшения размеров элементов.
3D-чипы Samsung используют 40-нм техпроцесс, и ожидается, что Intel будет делать то же самое.
Увеличение размера элементов при использовании 3D-технологий привело к тому, что Samsung 850 Pro называется самый быстрый и надежный привод на рынке.
Intel не хотела бы устанавливать жесткие ограничения на появление твердотельных накопителей емкостью 10 терабайт. Более вероятно , устройство такого размера сначала будет ориентировано на корпоративный сектор и лишь позже получит широкое распространение в домашних компьютерах.
Вице-президент и генеральный директор Intel Роб Крук пообещал, что первые накопители такого объёма будут созданы через два года.
Как он отметил, не исключено, что появится терабайтная память толщиной 2 мм, а значит, увеличится и объем памяти мобильных устройств.
Новые фишки будет произведено в рамках сотрудничества с Micron Technology на заводе Intel Micron Flash Technologies в Лехи, штат Юта.
Начало работ запланировано на вторую половину 2015 года.
Для сравнения : У Samsung есть NVMe-накопитель V-NAND SM1715 емкостью 3,2 ТБ.
В 845DC Pro емкостью 400 ГБ используются четыре 24-слойных 3D-чипа с 40-нм техпроцессом, каждый емкостью 128 ГБ.
В модели 850 Pro используются 32-слойные чипы V-NAND MLC емкостью 86 гигабит. Позже в этом году Hynix планы начать производство 3D-NAND. Похожие работы ведутся а у SanDisk, возможно, в 2015 году мы увидим их первые результаты на прилавках.
Вполне вероятно, что 3D-память станет нормой в течение следующего года.
В опросе могут участвовать только зарегистрированные пользователи.
Войти , Пожалуйста.
Какова «справедливая» емкость твердотельных накопителей вашего компьютера? 29,71% У меня нет SSD 380 19,78% Менее 120 ГБ 253 40,5% 120–250 ГБ 518 9,46% 250–500 ГБ 121 3,91% 500–1000 ГБ 50 1,33% Более 1000 ГБ 17 Проголосовали 1279 пользователей.
61 пользователь воздержался.
Теги: #ssd #Intel #накопитель #Samsung #твердотельные накопители #3D NAND #V-NAND #Micron Technology
-
Millenium Bsa – Бесплатная Erp В России?
19 Oct, 24 -
Убунту-Ру Выключи
19 Oct, 24
